美光在2026年OCP峰会上展示了下一代存储技术的发展蓝图，涵盖DDR6、LPDDR6、HBM和G11 NAND等多个产品线。DDR6专为高可靠性服务器市场设计，标称带宽将是DDR5的两倍，计划推出单条1TB的RDIMM内存条。目前DDR5的最高单条容量为512GB，频率为9200MT/s，采用了垂直互联封装及TSV硅通孔技术。若DDR6成功上市，其容量将实现翻倍。1TB的目标是在1δ（1-Delta）DRAM工艺节点的支持下实现，该节点的密度相比前一代提升了20%-25%，预计到2027年下半年在美国开始量产。
首批DDR6产品计划于2027年面向服务器和数据中心市场。美光在架构上与主要竞争对手有所不同，提出将坚持使用6F²单元架构，认为4F²架构无法提供可靠的扩展路径。与此同时，长鑫预计在年底将推出基于4F²架构的DDR5产品，主要针对服务器市场；而三星计划在2028年生产4F²产品，结合其首次10nm以下的工艺。
此外，LPDDR6的能效较LPDDR5提升35%以上，适用于数据中心及移动设备。G11 NAND采用双晶圆键合工艺，堆叠层数超过400层，预计于2027年开始量产。首代vHBM产品预计在2028年问世，2030年进一步演进至vHBM3。需要注意的是，美光此次发布的带宽、容量和能效数据仍处于路线图阶段，实际产品规格和消费级产品上市时间尚待后续确认。
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